(3)晶格畸變作用。晶體在生長時，首先在晶體的扭折位置生長晶格，而且扭折位置是晶體界面上穩(wěn)定的位置．當(dāng)溶液為過飽和液時，微溶鹽分子到達(dá)扭折位置的幾率很大，因而晶體可正常地生長；而當(dāng)溶液中存在阻垢劑，將吸附在晶體扭折位置，占據(jù)了晶體正常生長的晶格位置，抑制晶體有規(guī)律生長，從而大大破壞結(jié)晶的規(guī)整性，使晶格變形。由于發(fā)生畸變的晶體形狀很不規(guī)則，難以通過有序緊密排列形成堅硬的垢塊，即使生成垢塊，也只能是疏松的軟垢，從而達(dá)到阻垢目的。